<div>
	Исследование кремниевых <em>p</em>-<em>n </em>структур с моно- и мультифоточувствительными поверхностями</div>

Мирзаалимов Авазбек Алишерович, Гуломов Жасурбек, Алиев Райимжон, Мирзаалимов Наврузбек Алишер угли, Алиев Сухроб

doi:10.17586/2226-1494-2022-22-1-25-32

2022 , ТОМ 22, НОМЕР 1 ( январь-февраль )

ISSN 2226-1494 (print), ISSN 2500-0373 (online)

Меню

Публикации

Главный редактор

НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д.т.н., профессор

Партнеры

doi: 10.17586/2226-1494-2022-22-1-25-32

УДК 621.382

Исследование кремниевых p-n структур с моно- и мультифоточувствительными поверхностями

Мирзаалимов А.А., Гуломов Ж., Алиев Р., Мирзаалимов Н.А., Алиев С.

Читать статью полностью

Язык статьи - английский

Ссылка для цитирования:

Мирзаалимов А.А., Гуломов Ж., Алиев Р., Мирзаалимов Н.А., Алиев С. Исследование кремниевых p-n структур с моно- и мультифоточувствительными поверхностями // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2022. Т. 22, № 1. С. 25–32 (на англ. яз.). doi: 10.17586/2226-1494-2022-22-1-25-32

Аннотация

Повышение эффективности и сокращение расхода кремния при производстве солнечных элементов являются актуальными проблемами. Один из путей их решения — создание двух- и трехлицевых солнечных элементов. Выходная мощность солнечного элемента при двухстороннем освещении в 1,72 раза и при трехстороннем освещении в 2,81 раза превышает мощность односторонне освещенного (обычного) солнечного элемента. При освещении солнечного элемента светом высокой интенсивности актуальным становится учет температуры его нагрева. В работе исследовано влияние температуры на свойства многосторонне освещаемого солнечного элемента. Определен характер изменения температурных коэффициентов основных фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов при различных условиях (одно-, двух- и трехстороннего) освещения. Температурный коэффициент трехсторонне освещаемых солнечных элементов для напряжения холостого хода составил величину 2,52·10^–3В/К, коэффициент заполнения вольтамперной характеристики 1,8·10^–3К^–1. При изменении температуры солнечного элемента от 300 до 350 К плотность тока короткого замыкания уменьшается всего на 4 %.

Ключевые слова: кремний, солнечный элемент, моделирование, трехсторонняя чувствительность, p-n переход, эффективность, освещение, температура

Благодарности. Авторы выражают благодарность сотрудникам Лаборатории возобновляемых источников энергии Андижанского государственного университета за активную помощь в подготовке статьи.

Список литературы

Mardani A., Jusoh A., Zavadskas E.K., Cavallaro F., Khalifah Z. Sustainable and renewable energy: An overview of the application of multiple criteria decision making techniques and approaches // Sustainability. 2015. V. 7. N 10. P. 13947–13984. https://doi.org/10.3390/SU71013947
Guangul F.M., Chala G.T. Solar energy as renewable energy source: SWOT analysis // Proc. of the 4^th MEC International Conference on Big Data and Cmart City (ICBDSC). 2019. P. 8645580 https://doi.org/10.1109/ICBDSC.2019.8645580
Fath P., Keller S., Winter P., Jooß W., Herbst W. Status and perspective of crystalline silicon solar cell production // Proc. of the 34^th IEEE Conference Photovoltaic Specialists. 2009. P. 002471–002476. https://doi.org/10.1109/PVSC.2009.5411274
Shockley W., Queisser H.J. Detailed balance limit of efficiency of p‐njunction solar cells // Journal of Applied Physics. 1961. V. 32. N 3. P. 510–519. https://doi.org/10.1063/1.1736034
Schmidt J., Werner F., Veith B., Zielke D., Steingrube S., Altermatt P.P., Gatz S., Dullweber T., Brendel R. Advances in the surface passivation of silicon solar cells // Energy Procedia. 2012. V. 15. P. 30–39. https://doi.org/10.1016/J.EGYPRO.2012.02.004
GulomovJ., AlievR. The way of the increasing two times the efficiency of silicon solar cell// Physics and Chemistry of Solid State.2021. V. 22. N 4. P. 756–760. https://doi.org/10.15330/pcss.22.4.756-760
Hiroshi M. Radiation energy transducing device. PatentUS3278811A [Электронный ресурс]. URL: https://patents.google.com/patent/US3278811A/en(дата обращения: 14.09.2021).
Hübner A., Aberle A.G., Hezel R. Novel cost-effective bifacial silicon solar cells with 19.4% front and 18.1% rear efficiency // Applied Physics Letters. 1997. V. 70. N 8. P. 1008–1010. https://doi.org/10.1063/1.118466
Aliev R., Muxtarov E., Mirzaalimov A. Quyosh generator. Patent UZ. № FAP00623. 2011.
Gulomov J., Aliev R. Numerical analysis of the effect of illumination intensity on photoelectric parameters of the silicon solar cell with various metal nanoparticles // Наносистемы: физика, химия, математика. 2021. Т. 12. № 5. С. 569–574. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2021-12-5-569-574
Gulomov J., Aliev R. Study of the temperature coefficient of the main photoelectric parameters of silicon solar cells with various nanoparticles // Journal of Nano- and Electronic Physics. 2021. V. 13. N 4. P. 04033. https://doi.org/10.21272/JNEP.13(4).04033
Pal S., Reinders A., Saive R. Simulation of bifacial and monofacial silicon solar cell short-circuit current density under measured spectro-angular solar irradiance // IEEE Journal of Photovoltaics. 2020. V. 10. N 6. P. 1803–1815. https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2020.3026141
Tiedje T., Engelbrecht D.A. Temperature dependence of the limiting efficiency of bifacial silicon solar cells // Proc. of the 47^th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). 2020. P. 1789–1791. https://doi.org/10.1109/PVSC45281.2020.9300921
Wang H., Cheng X., Yang H. Temperature coefficients and operating temperature verification for passivated emitter and rear cell bifacial silicon solar module // IEEE Journal of Photovoltaics. 2020. V. 10. N 3. P. 729–739. https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2020.2974289

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License